| 氧化锌J200因具有稳定丰富的低维结构、优异的室温激子稳定性和易掺杂调控的电学性能, 在第三代半导体材料体系研究中独具特色。 压电电子学与压电光电子学已经成为氧化锌和第三代半导体材料研究领域*为独特和*具创新力的研究方向之一。 氧化锌J200具有阳离子和阴离子形成的非中心对称结构, 因此将外力作用下产生的压电势与其半导体输运性能耦合, 可以实现以应变为“门”调控晶体管输运性能的压电电子学效应和调控异质结光电响应的压电光电子学效应。 该方法成功建立了应变与界面载流子输运行为调控的有效联系, 从器件构筑、性能调控等方面打开了全新的研究领域. 在发光器件研究领域, 六角纤锌矿结构的氧化锌端面与侧面以及随机散射形成的光学反馈, 使得低维氧化锌具有天然的谐振腔结构特点, 可以获得多种振荡方式的激光发射。如何实现振荡模式的有效调控与单模激光高效输出是氧化锌激光器面向实际应用的主要挑战，在透明导电薄膜研制方面, 氧化锌可见-近红外波段透过率超过90%, 具有易刻蚀、抗辐射能力强、与光电器件工艺兼容性强等特点, 使其成为代替氧化铟锡(ITO)的重要候选材料， 如何通过有效掺杂获得高电导率和高透光率的高质量氧化锌薄膜是该领域的重要发展方向。实现稳定的p型氧化锌是公认的国际难题, 而氮掺杂仍然被认为是解决这一难题的有效途径。 深入理解氧化锌本征缺陷结构与掺杂原子的作用关系, 对推动氧化锌p型掺杂难题具有重要科学意义。在光伏器件研究中, 氧化锌是理想的电子传输层材料体系之一。通过低温合成工艺获得高结晶质量的低维氧化锌结构, 可以实现光生载流子输运行为的有效调控, 促进光生电荷的快速分离与传输, 在柔性钙钛矿光伏电池和叠层钙钛矿电池领域优势明显。 |
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